[예비 레포트]

JFET특성

1. 실험의 목적

- JFET 트랜지스터의 출력과 전달 특성을 구한다.

2. 실험장비

(1) 계측장비

DMM

(2) 부품

◇ 저항

100 Ω (1개)

1 ㏀ (1개)

10 ㏀ (1개)

5 ㏀ 가변저항 (1개)

1 ㏁ 가변저항 (1개)

◇ 트랜지스터

2N4416 (1개)

(3) 공급기

직류 전원 공급기

리드선이 있는 9V 배터리

3. 이론 개요

접합 전계 효과 트랜지스터(JFET)는 단극 전도 소자이다. 전류캐리어는 n 채널 JFET에서 전자, P채널 JFET에서는 정공이다. n 채널 JFET에서 전도로는 n 형 분순물을 첨가한 Ge 혹은 Si이고, p채널 JFET 전도로는 P형 분술물을 첨가한 Ge 혹으 Si 이다. 채널을 통한 전도는 채널과 반대로 불순물이 첨가된 영역에 의해 생성된 공핍영역에 의해 제어되어 진다. 채널은 각각 드레인과 소스라고 부르는 두 단자에 연결되어 진다. n채널 JFET에 대해서 채널에 관례적인 전류의 흐름을 설정하기 위해서 드레인은 +전압에 연결되고, 소스는 - 전압에 연결된다. P 채널 JFET에 대해 인가전압의 극성은 n채널 JFET의 그것과 반대이다.

게이트 단자로 언급되는 세 번째 단자는 공핍영역 의해서 드레인과 소스 단자 사이에 존재할 수 있는 채널 폭을 조절하는 기구로 제공한다. n 채널 JFET에 대해, 게이트-소스 전압이 -가 될수록, 채널의 폭은 작아지고, 결과적으로 드레인-소스 전류는 더 작아진다.

이 실험은 다양한 전압과 JFET에 흐르는 전류 사이의 관계를 확립할 것이다. 이 관계의 성질은 JFET의 적용 범위를 결정한다.

4. 실험순서(간략)

1) 포화전류 IDSS의 핀치오프 전압 VP의 측정

그림의 회로를 구성하고, 저항 R 측정치를 기록한다. 그리고 결과치를 이용하여 곡선을 그린다.

2) 출력 특성

이 실험은 n 채널 JFET의 ID 대 VDS 특성을 결정한다.

3) 전달 특성

이 실험은 JFET 회로 해석에 종종 사용되는 ID대 VGS의 전달특성을 결정하는 실험이다.